Представлені модулі оперативної пам’яті DDR5 512Gb від Samsung Electronics

Представлені модулі оперативної пам'яті DDR5 512Gb від Samsung Electronics

Днями Samsung Electronics представила перші в світі модулі пам’яті об’ємом аж в 512Gb. Ці модулі збираються за технологією High-K Metal Gate (HKMG). Заявлено що модулі будуть в кілька разів швидше ніж DDR4, але при цьому будуть споживати менше енергії.

Технологія High-K Metal Gate (HKMG), це відносно нова технологія, яка увійшла в роботу приблизно з 2018 року. Раніше вона використовувалася для виробництва чіпів GDDR6. В основі технології лежить техніка використання межкремніевих з’єднань (TSV).

На одній планці пам’яті від Samsung Electronics розміщені вісім шарів з мікросхемами DRAM. Кожна з яких має об’єм пам’яті 16Гб. Завдяки цьому виробникові вдалося максимально скомпонувати мікросхему і зробити загальний обсяг пам’яті 512Gb.

При цьому така компоновка дозволила не втратити в швидкостях робота, а навпаки збільшити її аж до 7200 Мбіт / с, що більш ніж в два рази швидше, ніж у представлених на ринку DDR4. Також інженерам вдалося домогтися і більш кращої енергоефективності. У порівнянні з знову ж з, у нових модулів на 13% нижче енергоспоживання.

В першу чергу представлена ​​пам’ять орієнтована для використання в суперкомп’ютерах. Але не за горами, коли дані обсяги пам’яті будуть доступні і звичайним покупцям. В даний момент компанія Samsung активно тестує модулі вже з клієнтами. Найближчим часом буде анонсована і ціна.